与中国电子显微镜学会（对外）（）将联合主办“第十届电子显微学网络会议(iCEM 2024)”✿◈✿ღ。

　　邀请业界知名电子显微学专家✿◈✿ღ、电子显微学仪器技术专家✿◈✿ღ、电子显微学应用专家等千亿娱乐✿◈✿ღ，重点邀请近来有重要工作成果进展的优秀青年学者代表线上分享精彩报告✿◈✿ღ。iCEM 2024恰逢电子显微学网络会议创立十周年✿◈✿ღ，会议专场将增设“十周年”主题内容✿◈✿ღ，围绕过去十年我国电子显微学重要进展✿◈✿ღ、未来展望等进行分享✿◈✿ღ。第十届电子显微学网络会议(iCEM 2024)将设置八个分会场✿◈✿ღ：1) 原位/环境电子显微学与应用✿◈✿ღ；2）先进电子显微学与应用✿◈✿ღ；3）扫描电镜/聚焦离子束显微镜技术与应用✿◈✿ღ；4）电子能量损失谱/电镜光谱分析技术✿◈✿ღ；5）低温电子显微学与应用✿◈✿ღ；6）生物医学电镜技术与应用✿◈✿ღ；7）电镜实验操作技术及经验分享✿◈✿ღ；8）电镜开放共享平台及自主保障体系建设✿◈✿ღ。诚邀业界人士线上报名参会✿◈✿ღ。

　　郑赫私家侦探公司265007✿◈✿ღ，武汉大学教授/博导✿◈✿ღ，湖北省杰青✿◈✿ღ、湖北省青年拔尖人才✿◈✿ღ。致力于“单晶纳米材料微观力学变形机理的原位原子尺度研究”✿◈✿ღ，聚焦引起材料塑性变形的核心因素✿◈✿ღ：缺陷的形核✿◈✿ღ、演变及相互作用机制✿◈✿ღ。以第一/通讯作者身份在Nat. Commun.✿◈✿ღ、Phys. Rev. Lett.✿◈✿ღ、Nano Lett.✿◈✿ღ、ACS Nano✿◈✿ღ、Scr. Mater.私家侦探公司265007✿◈✿ღ、JMST等SCI杂志上发表论文50余篇✿◈✿ღ，受邀参与编写英文书籍《In-Situ Transmission Electron Microscopy》（Springer 2023）✿◈✿ღ，主持4项国家自然科学基金项目✿◈✿ღ，获评中国电镜学会优秀青年学者✿◈✿ღ。担任中国晶体学会理事✿◈✿ღ、中国电镜学会第十一届常务理事会原位电子显微学方法专业委员会委员✿◈✿ღ、湖北省电镜学会副理事长✿◈✿ღ、武汉大学电镜中心副主任✿◈✿ღ、《电子显微学报》编委等私家侦探公司265007✿◈✿ღ。

　　朱艺涵✿◈✿ღ，化学工程学院教授✿◈✿ღ，博士/硕士生导师✿◈✿ღ，浙江工业大学电镜中心负责人✿◈✿ღ、分析测试中心副主任✿◈✿ღ、前沿交叉科学研究院副院长（兼）✿◈✿ღ。入选国家海外引才计划✿◈✿ღ，省科协青年英才计划及高校领军人才培养计划✿◈✿ღ，先后主持国家优秀青年科学基金✿◈✿ღ、面上基金等4项✿◈✿ღ，省杰出青年科学基金1项✿◈✿ღ，承担国家重点研发计划重点专项课题1项✿◈✿ღ；主要从事先进电子显微方法学发展和物质科学应用✿◈✿ღ，相关成果在Science及其子刊✿◈✿ღ、Nature子刊等权威期刊发表论文140余篇✿◈✿ღ，引用次数18000余次✿◈✿ღ，H指数65✿◈✿ღ；主编图书分册1部✿◈✿ღ、撰写图书章节4章✿◈✿ღ；现任浙江省分测协会理事✿◈✿ღ、电镜与微结构青委会副主任✿◈✿ღ、工业催化联盟青委会委员✿◈✿ღ。获国际催化协会青年科学家奖✿◈✿ღ、美国显微学会主席学者奖✿◈✿ღ、中国材料与试验团体标准贡献奖等✿◈✿ღ。

　　固体材料经典理论和视角往往建立在晶体结构周期性点阵的结构模型基础之上✿◈✿ღ。而事实上✿◈✿ღ，功能材料表界面✿◈✿ღ、缺陷和部分有序等微观局域结构特征带来了各种新奇物性和功能应用✿◈✿ღ。现代像差校正电子显微镜及相关技术的发展开辟了以正空间“可视化”方式同时实现材料长周期和局域结构原子层次直接成像和观测的全新道路✿◈✿ღ，但却受制于电子辐照损伤挑战而难以直接应用于各类重要的辐照敏感材料（如分子筛✿◈✿ღ、MOFs✿◈✿ღ、COF等开发框架材料和有机聚合物材料等）✿◈✿ღ。低剂量电子显微成像技术的兴起很大程度上能够有希望填补这些材料的微观认知空缺✿◈✿ღ，并推动相关材料和化学领域的发展✿◈✿ღ。

　　陈桐民✿◈✿ღ，捷欧路（北京）科贸有限公司市场部售前技术支持✿◈✿ღ。2017-2022年在北陆先端科学技术大学院大学攻读硕士博士学位千亿娱乐✿◈✿ღ。电镜师从日本电镜专家大岛義文教授✿◈✿ღ，硕士阶段开始从事透射电镜技术的应用和研究✿◈✿ღ，对莫尔条纹法和几何相位分析（GPA）研究晶体结构形变✿◈✿ღ，TEM原位实验的样品杆研发✿◈✿ღ，二维材料结构表征等有丰富的经验✿◈✿ღ。2022年博士毕业后留校任博士后✿◈✿ღ。2023年加入捷欧路（北京）科贸有限公司任透射电镜应用工程师✿◈✿ღ，对锂电池材料✿◈✿ღ，纳米颗粒✿◈✿ღ，陶瓷材料✿◈✿ღ，催化剂✿◈✿ღ，等材料有丰富的表征经验✿◈✿ღ。现任捷欧路（北京）市场部售前技术支持✿◈✿ღ，产品经理✿◈✿ღ，主要从事透射电子显微镜的推广和技术支持✿◈✿ღ。

　　主要讲解透射电镜JEM-ARM200F的仪器性能特点✿◈✿ღ，包括冷场枪✿◈✿ღ、超级EDS能谱和最新的SAAF探测器等最新技术✿◈✿ღ。另外介绍透射电镜下的原位实验观察技术✿◈✿ღ。

　　王雪锋千亿娱乐✿◈✿ღ，中国科学院物理研究所特聘研究员千亿娱乐✿◈✿ღ、博士生导师✿◈✿ღ。2016年博士毕业于中国科学院物理研究所✿◈✿ღ，之后在美国加州大学圣地亚哥分校完成博士后工作✿◈✿ღ。2019年入职中国科学院物理研究所✿◈✿ღ，2020年获得国家海外高层次人才引进青年项目✿◈✿ღ。主要从事高能量密度二次电池(锂离子电池✿◈✿ღ、金属锂电池和全固态电池等)关键材料结构和界面表征✿◈✿ღ、机理研究和失效分析✿◈✿ღ，尤其擅长采用冷冻电镜技术研究辐照敏感材料✿◈✿ღ。至今已在Nature✿◈✿ღ、Nature Materials✿◈✿ღ、Chemical Reviews✿◈✿ღ、Joule✿◈✿ღ、Energy & Environmental Science✿◈✿ღ、Journal of American Chemical Society✿◈✿ღ、Nano Letter✿◈✿ღ、Nano Energy等国际知名学术期刊上发表学术论文120余篇✿◈✿ღ，引用10700余次✿◈✿ღ。

　　冷冻电镜是表征辐照敏感材料的有力工具✿◈✿ღ。本报告将重点介绍冷冻电镜在表征锂电池中辐照敏感材料的相关应用和成果✿◈✿ღ，以便进一步了解冷冻电镜在解析电池工作机理和指导材料结构设计等方面所发挥的优势和作用✿◈✿ღ。报告人将介绍冷冻电镜固体电解质界面膜的纳米结构✿◈✿ღ、石墨嵌锂的‘阶’结构和全固态电池中固-固界面等方面的应用与成果✿◈✿ღ。

　　硕士毕业于英国Loughborough大学材料专业✿◈✿ღ，毕业后在新材料与产业技术北京研究院担任高级仪器管理✿◈✿ღ，后于北京欧波同任BD工程师✿◈✿ღ，对电镜的操作和应用有丰富经验✿◈✿ღ，致力于电镜显微分析解决方案✿◈✿ღ。

　　冯宗强✿◈✿ღ，重庆大学教授✿◈✿ღ、博士生导师✿◈✿ღ，国家级青年人才✿◈✿ღ，重庆英才青年拔尖人才✿◈✿ღ，重庆大学弘深优秀学者✿◈✿ღ。长期从事透射电镜先进表征技术开发和纳米结构金属基础研究✿◈✿ღ，开发了位错晶体学三维表征新技术✿◈✿ღ，提出了纳米结构材料强韧化新途径千亿娱乐✿◈✿ღ。先后主持国家自然科学基金面上项目✿◈✿ღ、国家重点研发计划项目子课题和重庆英才计划项目等✿◈✿ღ，在Nature✿◈✿ღ、Science和Acta Materialia等期刊发表学术论文40余篇✿◈✿ღ，申请发明专利5项✿◈✿ღ。担任教育部轻合金材料国际合作联合实验室副主任和国际期刊Materials Research Letters和MGE Advances青年编委等✿◈✿ღ。

　　Al-Cu合金经固溶淬火后组织中会形成高密度位错环✿◈✿ღ，其空间组态和晶体学特征对材料性能具有重要影响✿◈✿ღ。本研究采用自主开发的位错晶体学三维表征技术系统研究了淬火Al-Cu合金中位错环的取向分布和空间组态特征✿◈✿ღ，并结合透射电镜原位加热方法研究了位错环的动态演化行为✿◈✿ღ，揭示了位错环的取向偏转机制和晶体学路径✿◈✿ღ。

　　兰州大学材料与能源学院副教授✿◈✿ღ，硕导✿◈✿ღ，兰州大学电镜中心总工✿◈✿ღ，西北四省电子显微学会副理事长✿◈✿ღ。2016年6月在兰州大学获理学博士学位✿◈✿ღ，2016月9月加入兰州大学物理科学与技术学院✿◈✿ღ，2021年4月加入新成立的材料与能源学院✿◈✿ღ。主要从事材料微纳结构的分析✿◈✿ღ、电镜原位科研仪器的研发与应用✿◈✿ღ、二维材料磁性材料/器件/拓扑结构的电镜原位磁化动力学和矿物微结构表征研究✿◈✿ღ。目前已经在Nat. Commun.✿◈✿ღ、Sci. Adv.✿◈✿ღ、Adv. Funct. Mater.✿◈✿ღ、ACS Nano等SCI期刊上发表论文70余篇✿◈✿ღ，获批授权专利11项✿◈✿ღ。主持和参与了多个国家项目和横向项目（科技部重大研究纳米专项✿◈✿ღ、国家自然科学基金重大研究计划项目✿◈✿ღ、自然科学基金等）✿◈✿ღ。

　　磁性斯格明子千亿娱乐✿◈✿ღ，作为新兴的拓扑保护自旋磁结构私家侦探公司265007✿◈✿ღ，以其极小的磁畴尺寸✿◈✿ღ、稳定性及可调性✿◈✿ღ，在自旋电子存储领域展现出巨大潜力✿◈✿ღ。随着研究的深入✿◈✿ღ，铁磁合金✿◈✿ღ、多层膜及二维磁性材料等成为调控磁斯格明子的新途径✿◈✿ღ。这些材料的磁性能主要由其成分和微观结构决定✿◈✿ღ，因此深入理解结构与磁性的关系至关重要✿◈✿ღ。为实现磁斯格明子在赛道存储等新型存储设计中的应用✿◈✿ღ，需探究其成核与湮灭机制✿◈✿ღ，并提升斯格明子密度✿◈✿ღ。我们主要聚焦于Fe3-xGeTe2和Fe3-xGaTe2这两种磁性二维晶体✿◈✿ღ，通过原位透射电镜和球差校正技术✿◈✿ღ，成功揭示了其成分与磁结构✿◈✿ღ，并发现Fe3-xGaTe2能在室温下形成磁斯格明子✿◈✿ღ。同时✿◈✿ღ，解决了密度低和共存问题✿◈✿ღ，并通过晶体衍射和第一性原理计算解释了DM相互作用来源私家侦探公司265007✿◈✿ღ，为磁斯格明子的应用提供了新方向✿◈✿ღ。

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